Acheter IPD50N06S409ATMA1 avec BYCHPS
Acheter avec garantie
IPD50N06S409ATMA1
- Modèle de produit:
- IPD50N06S409ATMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17769 Pieces
- Fiche technique:
- IPD50N06S409ATMA1.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour IPD50N06S409ATMA1, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour IPD50N06S409ATMA1 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 34µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 71W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | IPD50N06S4-09 IPD50N06S4-09-ND SP000374321 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IPD50N06S409ATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3785pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IPD50N06S409ATMA1
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Enquête |
|
IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Enquête |
|
IPD50N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Enquête |
 |
IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | Enquête |
|
IPD50N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Enquête |
|
IPD50N06S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11 | Enquête |
|
IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | Enquête |
|
IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Enquête |
|
IPD50N06S214ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Enquête |
|
IPD50N06S2L13ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Enquête |
|
IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Enquête |
|
IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog