IPD068P03L3GATMA1
IPD068P03L3GATMA1
Modèle de produit:
IPD068P03L3GATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12120 Pieces
Fiche technique:
IPD068P03L3GATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO252-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.8 mOhm @ 70A, 10V
Dissipation de puissance (max):100W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:IPD068P03L3GATMA1-ND
IPD068P03L3GATMA1TR
SP001127838
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:IPD068P03L3GATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7720pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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