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IPC50N04S55R8ATMA1
- Modèle de produit:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16538 Pieces
- Fiche technique:
- IPC50N04S55R8ATMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.4V @ 13µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TDSON-8-33 |
| Séries: | OptiMOS™, Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 42W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | IPC50N04S55R8ATMA1TR SP001418130 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | IPC50N04S55R8ATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1090pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.3nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 40V 50A 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 7V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| La description: | MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 50A |
| Email: | [email protected] |
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