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IPB65R045C7ATMA1
- Modèle de produit:
- IPB65R045C7ATMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15012 Pieces
- Fiche technique:
- IPB65R045C7ATMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1.25mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO263 |
| Séries: | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 24.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 227W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | IPB65R045C7ATMA1TR SP000929420 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Référence fabricant: | IPB65R045C7ATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 650V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 46A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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