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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1
Modèle de produit:
IPB17N25S3100ATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH TO263-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17950 Pieces
Fiche technique:
IPB17N25S3100ATMA1.pdf
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introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 54µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO263-3-2
Séries:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 17A, 10V
Dissipation de puissance (max):107W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:SP000876560
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:IPB17N25S3100ATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 250V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tension drain-source (Vdss):250V
La description:MOSFET N-CH TO263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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