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IMH21T110
- Modèle de produit:
- IMH21T110
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15355 Pieces
- Fiche technique:
- IMH21T110.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 20V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | SMT6 |
| Séries: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 10k |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | SC-74, SOT-457 |
| Autres noms: | IMH21T110DKR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | IMH21T110 |
| Fréquence - Transition: | 150MHz |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| La description: | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 820 @ 50mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
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