IMD23T108
Modèle de produit:
IMD23T108
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12342 Pieces
Fiche technique:
IMD23T108.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SMT6
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):10k, 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k, 10k
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-74, SOT-457
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IMD23T108
Fréquence - Transition:200MHz, 250MHz
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
La description:TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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