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IMD10AT108
- Modèle de produit:
- IMD10AT108
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13566 Pieces
- Fiche technique:
- IMD10AT108.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | SMT6 |
| Séries: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | 10k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 10k, 100 |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-74, SOT-457 |
| Autres noms: | IMD10AT108TR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IMD10AT108 |
| Fréquence - Transition: | 250MHz, 200MHz |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| La description: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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