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IMB7AT108
- Modèle de produit:
- IMB7AT108
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12509 Pieces
- Fiche technique:
- IMB7AT108.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | SOT-457 |
| Séries: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 4.7k |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-457 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IMB7AT108 |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-457 |
| La description: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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