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IDM08G120C5XTMA1
- Modèle de produit:
- IDM08G120C5XTMA1
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19953 Pieces
- Fiche technique:
- IDM08G120C5XTMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.95V @ 8A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO252-2 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | thinQ!™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | IDM08G120C5XTMA1-ND IDM08G120C5XTMA1TR SP001162122 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Référence fabricant: | IDM08G120C5XTMA1 |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Surface Mount PG-TO252-2 |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 40µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 8A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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