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IDC08S60CEX1SA2
- Modèle de produit:
- IDC08S60CEX1SA2
- La description:
- DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19086 Pieces
- Fiche technique:
- IDC08S60CEX1SA2.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 8A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | Die |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | thinQ!™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Die |
| Autres noms: | SP000599932 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IDC08S60CEX1SA2 |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 8A (DC) Surface Mount Die |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 8A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 310pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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