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HP8S36TB
- Modèle de produit:
- HP8S36TB
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17099 Pieces
- Fiche technique:
- HP8S36TB.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | 8-HSOP |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 32A, 10V |
| Puissance - Max: | 29W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | HP8S36TBTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Référence fabricant: | HP8S36TB |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6100pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 27A, 80A |
| Email: | [email protected] |
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