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| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.65V @ 12A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | TO-220-2 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | Amp+™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-2 |
| Autres noms: | 1560-1049-5 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | GP2D012A065A |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220-2 |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 120µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 12A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 632pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |