GP1M009A070F
GP1M009A070F
Modèle de produit:
GP1M009A070F
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18079 Pieces
Fiche technique:
GP1M009A070F.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220F
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):52W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:GP1M009A070F
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1944pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 700V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
Tension drain-source (Vdss):700V
La description:MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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