GP1M008A025FG
GP1M008A025FG
Modèle de produit:
GP1M008A025FG
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19692 Pieces
Fiche technique:
GP1M008A025FG.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220F
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max):17.3W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:GP1M008A025FG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:423pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 250V 8A (Tc) 17.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Tension drain-source (Vdss):250V
La description:MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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