GKN26/16
Modèle de produit:
GKN26/16
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12394 Pieces
Fiche technique:
1.GKN26/16.pdf2.GKN26/16.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.55V @ 60A
Tension - inverse (Vr) (max):1600V (1.6kV)
Package composant fournisseur:DO-4
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms:GKN26/16GN
GKN2616
Température d'utilisation - Jonction:-40°C ~ 180°C
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:GKN26/16
Description élargie:Diode Standard 1600V (1.6kV) 25A Chassis, Stud Mount DO-4
Type de diode:Standard
La description:DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
Courant - fuite, inverse à Vr:4mA @ 1600V
Courant - Rectifié moyenne (Io):25A
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

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