GDP50P120B
GDP50P120B
Modèle de produit:
GDP50P120B
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14212 Pieces
Fiche technique:
GDP50P120B.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.7V @ 50A
Tension - inverse (Vr) (max):1200V (1.2kV)
Package composant fournisseur:TO-247-2
La vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries:Amp+™
Temps de recouvrement inverse (trr):0ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-2
Autres noms:1560-1028-5
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 135°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:GDP50P120B
Description élargie:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A (DC) Through Hole TO-247-2
Type de diode:Silicon Carbide Schottky
La description:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
Courant - fuite, inverse à Vr:100µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io):50A (DC)
Capacité à Vr, F:2984pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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