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GAP3SLT33-214
- Modèle de produit:
- GAP3SLT33-214
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15834 Pieces
- Fiche technique:
- GAP3SLT33-214.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2.2V @ 300mA |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 3300V (3.3kV) |
| Package composant fournisseur: | DO-214AA |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DO-214AA, SMB |
| Autres noms: | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | GAP3SLT33-214 |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 3300V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 300mA (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 42pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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