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FR12B05
- Modèle de produit:
- FR12B05
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14481 Pieces
- Fiche technique:
- 1.FR12B05.pdf2.FR12B05.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 800mV @ 12A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 100V |
| Package composant fournisseur: | DO-4 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 500ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms: | FR12B05GN |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | FR12B05 |
| Description élargie: | Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 25µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 12A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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