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FQU2N60CTU
- Modèle de produit:
- FQU2N60CTU
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18997 Pieces
- Fiche technique:
- 1.FQU2N60CTU.pdf2.FQU2N60CTU.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I-Pak |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 13 Weeks |
| Référence fabricant: | FQU2N60CTU |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 235pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| La description: | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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