FQPF5P10
FQPF5P10
Modèle de produit:
FQPF5P10
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO-220F
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19049 Pieces
Fiche technique:
FQPF5P10.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220F
Séries:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 1.45A, 10V
Dissipation de puissance (max):23W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FQPF5P10
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 100V 2.9A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET P-CH 100V 2.9A TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A (Tc)
Email:[email protected]

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