FQP32N20C_F080
Modèle de produit:
FQP32N20C_F080
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13368 Pieces
Fiche technique:
1.FQP32N20C_F080.pdf2.FQP32N20C_F080.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:82 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max):156W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FQP32N20C_F080
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 200V 28A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension drain-source (Vdss):200V
La description:MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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