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FQP12P10
- Modèle de produit:
- FQP12P10
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19361 Pieces
- Fiche technique:
- 1.FQP12P10.pdf2.FQP12P10.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220AB |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 290 mOhm @ 5.75A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 75W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | FQP12P10 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 100V 11.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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