FQI15P12TU
FQI15P12TU
Modèle de produit:
FQI15P12TU
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14037 Pieces
Fiche technique:
FQI15P12TU.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I2PAK
Séries:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.75W (Ta), 100W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FQI15P12TU
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 120V 15A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Through Hole I2PAK
Tension drain-source (Vdss):120V
La description:MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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