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FQI13N06LTU
- Modèle de produit:
- FQI13N06LTU
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12028 Pieces
- Fiche technique:
- FQI13N06LTU.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I2PAK |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 6.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | FQI13N06LTU |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 60V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 13.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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