FQD8P10TM_F085
FQD8P10TM_F085
Modèle de produit:
FQD8P10TM_F085
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16301 Pieces
Fiche technique:
FQD8P10TM_F085.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D-Pak
Séries:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:530 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 44W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:FQD8P10TM_F085-ND
FQD8P10TM_F085TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:FQD8P10TM_F085
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.6A (Tc)
Email:[email protected]

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