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FQD2N100TM
- Modèle de produit:
- FQD2N100TM
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18095 Pieces
- Fiche technique:
- 1.FQD2N100TM.pdf2.FQD2N100TM.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D-Pak |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9 Ohm @ 800mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | FQD2N100TM-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 25 Weeks |
| Référence fabricant: | FQD2N100TM |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| La description: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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