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FQB5N80TM
- Modèle de produit:
- FQB5N80TM
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18155 Pieces
- Fiche technique:
- FQB5N80TM.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.6 Ohm @ 2.4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | FQB5N80TM |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1250pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 800V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tension drain-source (Vdss): | 800V |
| La description: | MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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