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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
Séries: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.1 Ohm @ 1.75A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | FQB4P40TM |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 400V 3.5A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Tension drain-source (Vdss): | 400V |
La description: | MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |