FQAF33N10L
Modèle de produit:
FQAF33N10L
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16143 Pieces
Fiche technique:
FQAF33N10L.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3PF
Séries:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 12.9A, 10V
Dissipation de puissance (max):83W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SC-94
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FQAF33N10L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1630pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:25.8A (Tc)
Email:[email protected]

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