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FQA55N10
- Modèle de produit:
- FQA55N10
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17474 Pieces
- Fiche technique:
- FQA55N10.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-3P |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 30.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 190W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | FQA55N10 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2730pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 98nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 61A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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