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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-3P |
Séries: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 270 mOhm @ 8.9A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 180W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | FQA16N25C |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 53.5nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 250V 17.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P |
Tension drain-source (Vdss): | 250V |
La description: | MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 17.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |