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| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | TO-92S |
| Séries: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 10k |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | FJNS3206RBU |
| Fréquence - Transition: | 250MHz |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S |
| La description: | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |