Acheter FGH80N60FD2TU avec BYCHPS
Acheter avec garantie
FGH80N60FD2TU
- Modèle de produit:
- FGH80N60FD2TU
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- IGBT 600V 80A 290W TO247
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19026 Pieces
- Fiche technique:
- FGH80N60FD2TU.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour FGH80N60FD2TU, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour FGH80N60FD2TU par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 40A |
| Condition de test: | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 21ns/126ns |
| énergie de commutation: | 1mJ (on), 520µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 61ns |
| Puissance - Max: | 290W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 37 Weeks |
| Référence fabricant: | FGH80N60FD2TU |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Field Stop |
| gate charge: | 120nC |
| Description élargie: | IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247 |
| La description: | IGBT 600V 80A 290W TO247 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 160A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FGH80N60FD2TU
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGT50N60B | IXYS | IGBT 600V 75A 300W TO268 | Enquête |
 |
FGA30N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 339W TO3P | Enquête |
 |
APT68GA60LD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Enquête |
|
FGA90N33ATDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 330V 90A 223W TO3P | Enquête |
 |
IRG4BC30W-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | Enquête |
 |
IXGX50N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 75A 300W TO247 | Enquête |
 |
FGH80N60FDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 290W TO247 | Enquête |
|
IRG4BC20UDSTRLP | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 60W D2PAK | Enquête |
|
FGA25N120ANTDTU_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 312W TO3P | Enquête |
 |
NGD15N41CLT4 | ON Semiconductor | IGBT 440V 15A 107W DPAK | Enquête |
|
IXGT20N60B | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO268 | Enquête |
|
IRG4BC30W-STRL | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | Enquête |
 |
RJH60D7DPQ-E0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 90A 300W TO-247 | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog