FGA6560WDF
FGA6560WDF
Modèle de produit:
FGA6560WDF
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12521 Pieces
Fiche technique:
FGA6560WDF.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 60A
Condition de test:400V, 60A, 6 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:25.6ns/71ns
énergie de commutation:2.46mJ (on), 520µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-3PN
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):110ns
Puissance - Max:306W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Référence fabricant:FGA6560WDF
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:84nC
Description élargie:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
La description:IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm):180A
Courant - Collecteur (Ic) (max):120A
Email:[email protected]

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