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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 650V |
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Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.2V @ 15V, 50A |
Condition de test: | 400V, 50A, 6 Ohm, 15V |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 20.8ns/62.4ns |
énergie de commutation: | 1.35mJ (on), 309µJ (off) |
Package composant fournisseur: | TO-3PN |
Séries: | - |
Temps de recouvrement inverse (trr): | 31.8ns |
Puissance - Max: | 268W |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
Référence fabricant: | FGA5065ADF |
Type d'entrée: | Standard |
type de IGBT: | Trench Field Stop |
gate charge: | 72.2nC |
Description élargie: | IGBT Trench Field Stop 650V 100A 268W Through Hole TO-3PN |
La description: | IGBT 650V 100A TO-3PN |
Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 150A |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100A |
Email: | [email protected] |