FGA5065ADF
FGA5065ADF
Modèle de produit:
FGA5065ADF
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
IGBT 650V 100A TO-3PN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17490 Pieces
Fiche technique:
FGA5065ADF.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 50A
Condition de test:400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:20.8ns/62.4ns
énergie de commutation:1.35mJ (on), 309µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-3PN
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):31.8ns
Puissance - Max:268W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:FGA5065ADF
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:72.2nC
Description élargie:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 268W Through Hole TO-3PN
La description:IGBT 650V 100A TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Courant - Collecteur (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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