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FGA40T65SHDF
- Modèle de produit:
- FGA40T65SHDF
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14993 Pieces
- Fiche technique:
- FGA40T65SHDF.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour FGA40T65SHDF, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour FGA40T65SHDF par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 1.81V @ 15V, 40A |
| Condition de test: | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 18ns/64ns |
| énergie de commutation: | 1.22mJ (on), 440µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-3PN |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 101ns |
| Puissance - Max: | 268W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 24 Weeks |
| Référence fabricant: | FGA40T65SHDF |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Trench Field Stop |
| gate charge: | 68nC |
| Description élargie: | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN |
| La description: | IGBT 650V 80A 268W TO-3PN |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 120A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
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