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FDV302P
- Modèle de produit:
- FDV302P
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18193 Pieces
- Fiche technique:
- 1.FDV302P.pdf2.FDV302P.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour FDV302P, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour FDV302P par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-23 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 350mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | FDV302PTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | FDV302P |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.31nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.7V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 25V |
| La description: | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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