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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Séries: | UniFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 440 mOhm @ 7.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 38.5W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | FDPF15N65YDTU |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3095pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 650V 15A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
La description: | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15A (Tc) |
Email: | [email protected] |