FDP6670AL
Modèle de produit:
FDP6670AL
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14758 Pieces
Fiche technique:
1.FDP6670AL.pdf2.FDP6670AL.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max):68W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FDP6670AL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2440pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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