FDMC0310AS
FDMC0310AS
Modèle de produit:
FDMC0310AS
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16379 Pieces
Fiche technique:
FDMC0310AS.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-MLP (3.3x3.3)
Séries:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.4W (Ta), 36W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:FDMC0310ASDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:FDMC0310AS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3165pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 19A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:19A (Ta), 21A (Tc)
Email:[email protected]

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