FDI33N25TU
Modèle de produit:
FDI33N25TU
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12076 Pieces
Fiche technique:
FDI33N25TU.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I2PAK (TO-262)
Séries:UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:94 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):235W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FDI33N25TU
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2135pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 250V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Tension drain-source (Vdss):250V
La description:MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

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