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FDB86566_F085
- Modèle de produit:
- FDB86566_F085
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16730 Pieces
- Fiche technique:
- FDB86566_F085.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 176W (Tj) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | FDB86566_F085DKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | FDB86566_F085 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6655pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 60V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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