FDB8444
FDB8444
Modèle de produit:
FDB8444
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15235 Pieces
Fiche technique:
FDB8444.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 70A, 10V
Dissipation de puissance (max):167W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:FDB8444DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:FDB8444
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8035pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:128nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 40V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):40V
La description:MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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