FDB6670AS
FDB6670AS
Modèle de produit:
FDB6670AS
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18930 Pieces
Fiche technique:
FDB6670AS.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.5 mOhm @ 31A, 10V
Dissipation de puissance (max):62.5W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FDB6670AS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 15V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 62A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:62A (Ta)
Email:[email protected]

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