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FDB12N50FTM_WS
- Modèle de produit:
- FDB12N50FTM_WS
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18386 Pieces
- Fiche technique:
- FDB12N50FTM_WS.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries: | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 700 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 165W (Tc) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | FDB12N50FTM_WSDKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 9 Weeks |
| Référence fabricant: | FDB12N50FTM_WS |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1395pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 500V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| La description: | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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