FDB0300N1007L
FDB0300N1007L
Modèle de produit:
FDB0300N1007L
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13855 Pieces
Fiche technique:
FDB0300N1007L.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D2PAK (7-Lead)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 mOhm @ 26A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.8W (Ta), 250W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Autres noms:FDB0300N1007LDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:FDB0300N1007L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8295pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:113nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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