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ES6U3T2CR
- Modèle de produit:
- ES6U3T2CR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14635 Pieces
- Fiche technique:
- ES6U3T2CR.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-WEMT |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 700mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | ES6U3T2CRTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | ES6U3T2CR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 70pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.4nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Description élargie: | N-Channel 30V 1.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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