EMZ7T2R
EMZ7T2R
Modèle de produit:
EMZ7T2R
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14955 Pieces
Fiche technique:
EMZ7T2R.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type:NPN, PNP
Package composant fournisseur:EMT6
Séries:-
Puissance - Max:150mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:EMZ7T2RDKR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:EMZ7T2R
Fréquence - Transition:320MHz, 260MHz
Description élargie:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 12V 500mA 320MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
La description:TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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