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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor Type: | NPN, PNP |
Package composant fournisseur: | EMT6 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 150mW |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms: | EMZ2T2RCT |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | EMZ2T2R |
Fréquence - Transition: | 180MHz, 140MHz |
Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
La description: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 6V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 150mA |
Email: | [email protected] |